手机3D闪存时代到来！美光发布首个手机3D闪存 半导体市场升温 概念股
导语：继三星发布UFS2.0高速储存卡之后，美光日前发布了全球首个手机3D闪存。闪存科技快速发展折射出当前对于高科技芯片的广阔需求。今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加。当前半导体设备和材料的国产化...
1. 半导体市场升温
继三星发布UFS2.0高速储存卡之后，美光日前发布了全球首个手机3D闪存。闪存科技快速发展折射出当前对于高科技芯片的广阔需求。
今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加。当前半导体设备和材料的国产化趋势不可阻挡。
1.1 美光发布首个手机3D闪存
美光日前发布了全球首个手机3D闪存。3D闪存技术将单元垂直堆叠，可以显著增加存储容量和提高速度，相对于传统的2D闪存技术具有明显的优势。
1.2 半导体设备订单密集增加
今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加。据统计，2016年上半年，全球半导体设备市场规模达到500亿美元，同比增长20%。其中，中国市场增长最为强劲，同比增长30%。
2. 半导体设备和材料国产化趋势不可阻挡
随着半导体产业链的不断完善，半导体设备和材料的国产化趋势日益明显。我国在半导体设备和材料领域已经取得了一定的进展，具备了一定的基础。
（1）半导体设备国产化
我国在半导体设备领域已经取得了一定的进展，涌现出了北方华创、中微半导体等一批优秀的企业。这些企业在晶圆加工、封装测试等领域已经具备了一定的技术实力，能够提供部分国产设备。
（2）半导体材料国产化
我国在半导体材料领域起步较晚，但近年来发展迅速。在硅片、光刻胶、CMP浆料等领域已经涌现出了一批优秀的企业，能够提供部分国产材料。例如，中芯国际、华虹半导体等企业已经能够生产出合格的硅片。
2.1 推动因素
半导体设备和材料国产化趋势不可阻挡的主要推动因素包括：
- 国家政策支持：国家高度重视半导体产业发展，出台了一系列政策支持半导体设备和材料国产化。
- 下游需求旺盛：中国是全球最大的半导体市场，对半导体设备和材料的需求不断增长。
- 技术进步：我国在半导体设备和材料领域取得了长足的进步，具备了一定的技术实力。
3. 投资机会
半导体设备和材料国产化趋势不可阻挡，为相关企业带来了巨大的发展机遇。
投资机会一：半导体设备企业
我国在半导体设备领域已经具备了一定的基础，涌现出了北方华创、中微半导体等一批优秀的企业。这些企业有望在半导体设备国产化浪潮中受益。
投资机会二：半导体材料企业
我国在半导体材料领域起步较晚，但近年来发展迅速。在硅片、光刻胶、CMP浆料等领域已经涌现出了一批优秀的企业。这些企业有望在半导体材料国产化浪潮中受益。
4. 结语
半导体设备和材料国产化趋势不可阻挡，为相关企业带来了巨大的发展机遇。我国在半导体设备和材料领域已经取得了一定的进展，具备了一定的基础。随着国家政策支持、下游需求旺盛和技术进步的推动，半导体设备和材料国产化进程将进一步加快。
免责声明：本文仅供参考之用，不构成投资建议。投资有风险，入市需谨慎。
美光3D QLC闪存出货量猛增，QLC何时能取TLC而代之成为主流？
美光3D QLC闪存出货量激增75％，市场趋势明显随着闪存技术的迭代，SLC、MLC、TLC到QLC，容量的提升伴随着性能和寿命的下降。 尽管QLC仍面临部分消费者的质疑，但其市场接受度正在逐步提升。 美光作为3D QLC闪存的重要生产商，最近发布的数据显示，上一季度其用于固态硬盘的3D QLC闪存出货量强劲增长，环比增长达到了惊人的75%（以比特容量计算）。 美光的3D QLC闪存已经广泛应用于自家的消费级、企业级NVMe、SATA固态硬盘，以及microSD存储产品中。 SK海力士的市场数据也显示出，尽管TLC仍占据NAND闪存市场约85%的份额，但QLC的崛起速度不容小觑，预计很快将挑战主流地位。 面对3D闪存市场供过于求的现状，以及96层3D闪存产能增加带来的竞争压力，美光计划进一步调整产能策略。 原本宣布的5%减产幅度将提升至10%，这表明美光对于QLC闪存市场前景的积极应对。
美光3D XPoint闪存X100的读写延迟真的比傲腾还低吗？
美光终于推出自家3D XPoint闪存产品X100，延迟表现优于Intel傲腾Intel傲腾凭借3D XPoint闪存技术在速度和耐用性方面崭露头角。 昨日，美光，曾与Intel共同开发3D XPoint技术的合作伙伴，终于正式发布了其首款3D XPoint产品——X100。
尽管美光早在2017年4月就宣布了QuantX品牌，但直到近两年后才推出首款商业化产品。 新产品X100专为高端企业用户设计，采用NVMe协议和PCIe 3.0 x16接口，但并未纳入QuantX系列，而是独立命名，暗示了美光可能对QuantX系列的未来持谨慎态度。
关于性能，X100在官网显示，其顺序读写速度超过10GB/s，4K随机读写吞吐量约为2.5M IOPS，且持续读写延迟显著低于NAND SSD，降低11倍，混合场景下也保持9GB/s的速度。 这意味着X100在当前SSD市场中表现出色，其读写延迟甚至比Intel傲腾系列还要低两个微秒。
然而，美光目前仅将其作为限量样品提供给部分用户，消费级市场暂时无缘。 3D XPoint闪存的高昂成本使其定位在内存与NAND SSD之间，Intel甚至将其用作系统内存，以DIMM封装形式出现，且对内存控制器进行修改以支持。 至于美光如何利用这项技术，我们拭目以待。
美光3D XPoint闪存X100的性能如何，能否超越Intel傲腾？
结论：美光终于推出了自己的首款3D XPoint闪存产品X100，其性能表现出色，延迟甚至低于Intel的傲腾系列，显示出3D XPoint技术的强大潜力。尽管美光在2017年就宣布了QuantX品牌，但直到近日才正式发布X100，这表明他们在技术开发上可能遇到了一些挑战。 X100专为高端企业用户设计，采用NVMe协议和PCIe 3.0 x16接口，尽管未纳入QuantX系列，但X100的性能参数引人注目：顺序读写速度达到10GB/s，4K随机读写吞吐量约2.5M IOPS，持续性读写延迟比NAND SSD低11倍，混合场景下仍能保持9GB/s速度，显示出3D XPoint技术的优越性。 尤其值得注意的是，X100的读写延迟比Intel傲腾还要低两个微秒。
然而，X100目前仅作为限量样品提供给部分用户，消费级市场尚需等待。 3D XPoint闪存定位在内存与NAND SSD之间，价格昂贵。 Intel将其用于系统内存，以DIMM封装形式存在，并对其处理器内存控制器进行相应修改。 至于美光如何运用这项技术，还需时间观察。
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