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conceito de esquenta celulares para Micron 3D divulga flash de memória mercado antecipar primeira semicondutores oportunidade ações

摘要

继三星发布 UFS 2.0 高速存储卡后,美光日前发布了全球首个手机 3D 闪存。闪存技术的快速发展反映出当前对高科技芯片的广阔需求。今年以来,由于下游需求旺盛,半导体设备订单密集增加。随着半导体设备和材料国产化程度不断提升,龙头企业受益于半导体产业发展的大机遇,值得投资者关注。

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美光发布手机 3D 闪存

在加州圣克拉拉举行的闪存峰会上,美光公布了首款 3DNAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下,能提供更多的存储空间。据报道,这款 3D 闪存芯片与传统的 2DNAND 水平排布存储单元不同,3DNAND 使用垂直的方式排布存储单元,这种排布方式不但可以增加闪存的容量,又能让芯片与处理器通讯变快。单个容量为 32GB,采用全新 UFS 2.1 标准,读取速度达到 1.B/s,写入接近 500MB/s,是目前 UFS 2.0 的 2 倍。未来中高端手机上将会采用这种 3D 闪存芯片,对手机市场来说又是一波新的换机潮,毕竟谁都想要速度更快、存储容量更大的手机。

闪存技术快速发展折射出当前对高科技芯片的广阔需求

闪存技术的快速发展折射出当前对高科技芯片的广阔需求,这也是今年半导体市场的缩影。今年以来,由于下游需求旺盛,半导体设备订单密集增加,预计全年将取得出色成绩。半导体设备主要集中在制造和封测端,

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