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美光发布首个手机3D闪存 引燃半导体市场 概念股受惠

前言

在当今快速发展的科技时代,半导体行业正处于蓬勃发展的阶段,而闪存技术作为半导体中至关重要的组成部分,更是备受关注。近日,美光发布了全球首个手机3D闪存,标志着闪存科技进入了崭新的篇章。本文将深入剖析美光3D闪存的发布及其对半导体市场的深远影响,并重点关注七星电子等概念股的投资机会。

美光发布首个手机3D闪存

继三星发布UFS 2.0高速储存卡后,美光紧随其后,发布了全球首个手机3D闪存。这项技术突破引发了业界高度关注,被视为半导体行业发展的一个重要里程碑。 与传统的2D闪存相比,3D闪存采用垂直堆叠的方式,在有限的芯片面积内容纳了更高的存储密度,并显著提升了读写速度和能效。美光的3D闪存技术将为智能手机、平板电脑等移动设备提供更强大、更稳定的存储解决方案,满足用户对更大存储容量和更流畅体验的不断增长的需求。

半导体市场升温:概念股迎来利好

美光3D闪存的发布给半导体市场带来了新的动力,刺激了相关概念股的上涨。受益于下游需求的旺盛,半导体设备订单密集增加,带动了半导体设备和材料板块的普遍上涨。

七星电子:国产设备龙头领跑行业

美光发布首个手机3D闪存引燃市场 七星电子作为国内半导体设备龙头企业,在美光3D闪存发布的背景下,展现出了强劲的发展势头。公司上半年营收迅猛增长,签订重大切约,表明对下半年业绩贡献巨大。随着集成电路设备国产化进程加速,七星电子有望进一步受益,成为半导体设备行业整合和发展的领跑者。

行业整合势在必行:七星电子平台价值凸显

产业链转移和国家政策的积极驱动下,国内半导体行业迎来大批建厂热潮,势必带动国内设备厂商的崛起。我国半导体设备行业目前格局分散,与国外技术差距较大。因此,行业整合和海外并购成为国内企业抓住发展机遇的关键。 七星电子作为国内半导体设备龙头,通过收购北方微电子,不仅完善了自己的业务布局,更凸显了其平台价值。未来,半导体设备领域的行业整合和海外并购有望依托七星电子平台进行展开,为公司带来巨大的增长机遇。

投资建议

考虑到半导体设备国产化的持续推进,以及七星电子在行业整合中的龙头地位,我们建议投资者关注七星电子等半导体设备概念股。我们预计七星电子将保持全年业绩增长,并维持买入评级。目标价46.2元。

风险提示

投资七星电子等概念股需要考虑以下风险: 短期大盘系统性风险 公司转型风险

总结

美光3D闪存的发布标志着半导体行业进入了一个新的发展阶段,对整个市场带来了积极的影响。概念股七星电子作为国内半导体设备龙头,有望充分受益于行业整合和国产化趋势,为投资者带来可观的投资回报。

美光3D QLC闪存出货量增长75%,QLC会很快成为主流吗?

QLC闪存出货量猛增,市场趋势显现美光作为3D QLC闪存的重要生产商,其最新数据显示,上个季度用于固态硬盘的3D QLC闪存出货量实现了高达75%的环比增长。 这表明,尽管QLC在性能和寿命上曾受到质疑,但市场接受度正在逐步提升,大势所趋难以阻挡。 美光已将其消费级、企业级的NVMe、SATA固态硬盘,以及microSD存储全面采用3D QLC技术,同时,3D QLC闪存也已成为他们向其他固态硬盘厂商供应的关键组件。 SK海力士的数据显示,尽管TLC目前仍是NAND闪存市场的主要份额占据者,约为85%,但QLC的增长势头强劲,预计未来不久将取而代之,成为市场的主流。 然而,由于3D闪存的供过于求,尤其是随着96层3D闪存产能的提升,竞争态势将更加激烈。 美光因此决定调整产能策略,减产幅度从之前的5%提升至10%,以应对市场变化。 这显示出美光对QLC闪存未来市场前景的积极预期,也反映了行业对新型闪存技术的认可和接纳正在加速。

为何2016年固态硬盘和内存价格集体上涨?背后原因详解

为什么固态硬盘和内存价格集体上涨?背后原因揭秘

近段时间,固态硬盘和内存条市场出现了一波前所未有的价格飙升。 这种行业内的大规模上涨,打破了以往由天灾人祸引发的小范围波动模式,引发了广泛关注。 面对技术升级和工艺进步的预期,存储产品价格本应下跌,但为何2016年最后一个季度价格反弹,甚至在固态硬盘市场,尽管前三季度价格下滑,年末却再次攀高?探究此轮上涨背后的动因,我们需要从产业角度分析。

一、3D NAND技术的转型与产能不足

存储产品的核心成本在于存储单元,即闪存颗粒。 全球仅有三星、英特尔、东芝、海力士、美光等六家半导体制造商主导着这一尖端技术。 随着2D NAND生产线被3D NAND技术取代,但3D NAND的量产却严重不足,导致闪存颗粒供应量无法满足市场需求。 各大厂商为争夺有限的闪存颗粒,出厂价随之攀升,最终影响了消费者购买的零售价格。

二、手机市场对闪存颗粒的需求冲击

手机内部存储同样依赖闪存颗粒,随着大容量手机出货量的猛增,原本就紧张的闪存颗粒供应更加吃紧。 尤其是苹果等大厂的独家供应商,优先满足其产品需求,进一步加剧了市场的紧张局势。

三、双十一前的市场策略

此次价格上涨发生在双十一购物节前后,商家在促销前涨价以获取更高利润,这在一定程度上推高了价格。 尽管双十一期间有折扣,但价格仍高于国庆前。

价格回归的展望

尽管价格上扬,各大闪存制造商正在加速研发更稳定的3D NAND技术。 三星、东芝、海力士、美光和英特尔等均计划在2017年推出64层3D NAND产品,预计这将推动价格回归正常。 但具体何时能实现价格稳定,还需要等待这些新技术的全面供应,预计时间不会太远。

美光发布232层3DNAND闪存,相关固态硬盘明年问世

5月13日消息,美光公司周四发布了业界首个具有232层的3DNAND闪存,该公司计划将其新的232层3DNAND产品用于各种产品,包括固态硬盘,并计划在2022年底左右开始量产此类芯片。 美光的232层3DNAND闪存采用3DTLC架构,原始容量为1Tb(128GB)。 该芯片基于美光的CuA架构,并使用NAND字符串堆叠技术,在彼此的顶部建立两个3DNAND阵列。 CuA设计加上232层NAND,将大大减少美光1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸,这有望降低生产成本,使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价,或者增加其利润率。 美光没有宣布其新的232L3DTLCNANDIC的I/O速度或平面数量,但暗示与现有的3DNAND设备相比,新的内存将提供更高的性能,这对采用PCIe5.0接口的下一代SSD特别有用。 谈到固态硬盘,美光的技术和产品执行副总裁ScottDeBoer指出,该公司已经与内部和第三方NAND控制器(用于固态硬盘和其他基于NAND的存储设备)的开发者密切合作,以实现对新型内存的支持。 在其232层3DTLCNAND的其他优势中,美光还提到与上一代节点相比功耗更低。 考虑到美光将在2022年年底开始生产232层3DTLCNAND设备,预计采用新内存的固态硬盘将在2023年左右到来。

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